四氟化碳在900℃時,不與銅、鎳、鎢、鉬反應,僅在碳弧溫度下緩慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比),然而與可燃性氣體燃燒時,會分解產生有毒氟化物。以活性炭與氟為原料經氟化反應制備。在裝有活性炭的反應爐中,緩緩通入高濃氟氣,并通過加熱器加熱、供氟速率和反應爐冷卻控制反應溫度。反應放熱后,氟開始和碳化硅進行反應,通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣,使反應繼續(xù)進行,生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化。
四氟化碳是一種鹵代烴,化學式CF4。它既可以被視為一種鹵代烴、全氟化碳,也可以被視為一種無機化合物。零下198 °C時,四氟化碳具有單斜的結構,晶格常數為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。高純四氟化碳主要用于集成電路、半導體的等離子刻蝕領域,可用來蝕刻硅、二氧化硅、氮化硅等硅材料,是用量大的等離子蝕刻氣體。此外,高純四氟化碳還可用于印刷電路板清潔、電子元器件清洗、太陽能電池生產等領域。四氟化碳的溶氧性很好,因此被科學家用于超深度潛水實驗代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功,在275米到366米的深度內,小白鼠仍可安全脫險。
是微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體,高純氣高純氧的混合氣,可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻,在電子器件表面清洗、太陽能電池生產、激光技術、低溫制冷、泄漏檢驗、印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。溫室氣體,其造成溫室效應的作用是二氧化碳的數千倍。氟代烴的低層大氣中比較穩(wěn)定,而在上層大氣中可被能量更大的紫外線分解。在全球范圍內,高純度四氟化碳應用于歐洲、亞太地區(qū)、北美、中東、非洲和南美洲等地區(qū),受電子產業(yè)發(fā)展程度不同影響,對于高純度四氟化碳的需求也不同,亞洲地區(qū)由于電子產業(yè)發(fā)展落后,近幾年電子電器行業(yè)處于快速發(fā)展狀態(tài),因此使得該地區(qū)的高純度四氟化碳消費量持續(xù)攀升。
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